陈雷东
,
曹俊诚
,
齐鸣
,
徐安怀
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.016
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.
关键词:
InGaAs/InP HBT
,
δ掺杂层
,
阻挡层
,
N+高掺杂的复合集电极
,
I- V输出特性
